適用製品
半導体素子の製造方法、半導体素子の製造デバイス、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子
目的
簡便で、ドーピングの制御がしやすく、且つ、ドーピングの効果が高く、ｐ型−ｎ型の半導体素子の製造が可能な半導体素子の製造方法、半導体素子の製造デバイス、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子を提供する。
効果
本発明の半導体素子の製造方法は、製造する半導体素子のｐ型−ｎ型を連続的にかつ高精度に制御することができ、簡便で、ドーピングの制御がしやすく、かつドーピングの効果が高いものである。
半導体素子は、ｐ型−ｎ型を連続的にかつ高精度に制御されたものであり、すぐれた性能を有するものである。
熱電変換素子は、優れた熱電変換能を有するものである。
技術概要
２つの電極間に、一方の電極に近接して素子前駆体を載置すると共にイオン含有物を該素子前駆体と他方の電極間に置き、所定電圧を印加する、イオンドーピング工程を含み、上記素子前駆体がカーボンナノチューブ、層状２次元材料、又はナノワイヤーからなる成形体であることを特徴とするｐ型−ｎ型制御可能な半導体素子の製造方法、上記製造方法に用いることができる半導体素子の製造デバイス、上記製造方法により得られる半導体素子、上記半導体素子を用いてなる熱電変換素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
