目的
大きいゼーベック係数を有する熱電変換素子を提供する。
効果
熱電変換層の面内方向のゼーベック係数を大きくすることができる。
技術概要
本発明の熱電変換素子は、半導体層と、前記半導体層上に直接設けられた絶縁体層上に又は前記半導体層上に直接設けられた熱電変換層とを備え、前記熱電変換層は、1 nm以上500 nm以下の厚さを有することを特徴とする。また、本発明の熱電変換素子において、前記半導体層及び前記熱電変換層が、前記半導体層がｎ型半導体層である場合前記熱電変換層の面内方向のゼーベック係数がプラス値及びマイナス値のうち一方の値となり、前記半導体層がｐ型半導体層である場合前記熱電変換層の面内方向のゼーベック係数が他方の値となるように設けられてもよい。
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