目的
ホウ素を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値が小さい、ホウ素ドープダイヤモンドの提供。
効果
ホウ素を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値の小さいホウ素ドープダイヤモンドを提供することができる。
技術概要
ダイヤモンドにホウ素がドープされている、ホウ素ドープダイヤモンドであって、二次イオン質量分析法で測定したホウ素濃度が、１×１０19ｃｍ-3超、１×１０22ｃｍ-3以下の範囲にあり、Ｘ線吸収微細構造解析（ＮＥＸＡＦＳ）によって測定される、Ｘ線光子エネルギー２８８ｅＶ〜２９０ｅＶの範囲に位置するダイヤモンドコアエキシントンのピーク強度Ａと、Ｘ線光子エネルギー２８６．２ｅＶ〜２８８．５ｅＶの範囲におけるピーク強度面積Ｂとの比（Ｂ／Ａ）が、０．３０以下である、ホウ素ドープダイヤモンド。前記ホウ素ドープダイヤモンドは、熱フィラメントＣＶＤ法により好適に製造することができる。
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