目的
不純物を高濃度で含んでいるにも拘わらず、結晶格子定数とベガード則による理論値とのずれが非常に小さく、電気抵抗値の小さい不純物ドープダイヤモンドを提供する。
効果
本発明によれば、不純物を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値の小さい不純物ドープダイヤモンドを提供することができる。
技術概要
ダイヤモンドに不純物がドープされている、不純物ドープダイヤモンドであって、二次イオン質量分析法で測定した不純物濃度が、５×１０↑（20）ｃｍ↑（-3）以上、１×１０↑（22）ｃｍ↑（-3）以下の範囲にあり、
Ｘ線構造解析に基づき下記式（１）で算出される結晶格子歪み（Δａ／ａ）は、ベガード則に基づく結晶格子歪みからのずれが、１００ｐｐｍ以内である、不純物ドープダイヤモンド。
結晶格子歪み（Δａ／ａ）＝（ａ↓（doped）−ａ↓（ref））／ａ↓（ref）×１００（％） （１）
ａ↓（doped）：不純物ドープダイヤモンドの格子定数
ａ↓（ref）：ダイヤモンド標準試料の格子定数（３．５６７Å）
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
