目的
銅三次元ナノ構造体を形成した基板に無電解スズめっきを施した際に、基板を溶解することなく、三次元ナノ構造体の形態を保持して確実にスズめっきを施すことができる銅三次元ナノ構造体の製造方法の提供。
効果
無電解スズめっきを利用して銅三次元ナノ構造体に確実にスズを担持させることができ、リチウムイオン電池の負極材料等として好適に利用できる銅三次元ナノ構造体を製造することができる。
技術概要
基板の表面に、無電解スズめっきでは溶解しない金属からなるバリア層を形成する工程と、前記バリア層を形成した基板に電解銅めっきを施し、前記バリア層の表面に、銅が薄板状にランダムに交錯して析出した銅三次元ナノ構造体を形成する工程と、を備え、前記基板に銅三次元ナノ構造体を形成した後、銅三次元ナノ構造体を形成した基板に無電解スズめっきを施すことにより、銅三次元ナノ構造体にスズを担持させた銅三次元ナノ構造体の製造方法。
アピール内容
譲渡についての可・不可はその時の状況によります。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
