記憶回路

開放特許情報番号:L2016000690 開放特許情報登録日:2016/4/29 最新更新日:2022/8/30

基本情報
出願番号
公開番号
WO2013/172065
登録番号
出願日
2013/2/19
公開日
2013/11/21
出願人
国立研究開発法人科学技術振興機構
特許権者
国立研究開発法人科学技術振興機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
記憶回路
開放特許情報
技術分野
情報・通信
機能
材料・素材の製造
適用製品
双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路
目的
消費電力を削減すること。
効果
消費電力を削減することができる。
技術概要
データを記憶する双安定回路と、前記双安定回路に記憶されたデータを不揮発的にストアし、不揮発的にストアされたデータを前記双安定回路にリストアする不揮発性素子と、前記双安定回路と前記不揮発性素子とのデータが一致する場合は、前記双安定回路のデータを前記不揮発性素子にストアせず、前記双安定回路と前記不揮発性素子とのデータが一致しない場合は、前記双安定回路のデータを前記不揮発性素子にストアする制御部と、を具備することを特徴とする記憶回路である。本発明によれば、消費電力を削減することができる。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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