適用製品
シリコンクラスター超格子を備える半導体素子、電子デバイス、装置及び真空隔離窓素子
目的
新規なシリコンクラスター超格子を提供する。
電子状態密度が高く、周期性の高い安定した結晶構造をもつ表面電子状態を備えるシリコンクスター超格子を提供する。
シリコンクラスター超格子を備える半導体素子や電子デバイスや装置を提供する。
シリコンクラスター超格子を備える真空窓を提供する。
効果
シリコンクラスター超格子において、電子状態密度が高く、周期性の高い安定した結晶構造をもつ表面電子状態を実現できた。また、本発明のＳｉ↓Nクラスター超格子により、初めて電子状態密度の高い、超格子材料の物性を規定する３次元表面構造を実現できた。
技術概要
ダイヤモンド結晶構造を有するシリコンクラスターが、シリコン結晶構造の格子定数のほぼ４倍の格子定数をもつ体心立方格子構造の形状に配置して立体的な３次元格子をなすことを特徴とするシリコンクラスター超格子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
