目的
SiC単結晶を育成する工程中において、溶液中のSiとCの組成比が変化することを抑え、高品質のSiC単結晶が得られる製造方法を提供する。
効果
本発明に係るSiC単結晶の製造方法によれば、結晶育成工程において、溶液中のSiとCの組成比を変えずにSiC単結晶を製造することができる。溶液中のSiとCの組成比が変化しないことにより、高品質のSiC単結晶が製造できる。
技術概要
SiCからなる材料を使用し、前記材料と溶剤金属とを用いて、溶液法によりSiCの単結晶を製造する方法であって、前記材料の上に前記溶剤金属を配置して加熱し、前記材料の上部に前記溶融金属の融液を位置させ、前記溶剤金属の融液にSiCの種結晶を接触させ、前記溶剤金属の融液中に前記材料からSiとCを溶出させることにより、前記種結晶にSiCを析出させてSiCの単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
アピール内容
譲渡についての可・不可はその時の状況によります。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
