目的
従来のＮＡＮＤフラッシュデバイスの性能を上回る高性能化が期待できる不揮発性記憶素子を提供すること。
効果
金属／多層積層絶縁膜／半導体キャパシタ構造において、外部電気刺激により絶縁膜／絶縁膜界面近傍の単分子層程度の極めて狭い領域の原子移動による界面ダイポールの変調動作に基づき、絶縁膜／半導体界面の電気的特性に影響を与えることなく、大きな電圧変化幅を確保でき、従来のＮＡＮＤフラッシュメモリ等のシリコンデバイスの構造及び構成元素に大幅な変更を加えることなく製造が可能であり、しかもＮＡＮＤフラッシュメモリの性能を上回る高性能化が期待できる不揮発性記憶素子を実現する。
技術概要
半導体又は金属上に積層されたキャパシタ構造を備え、
前記キャパシタ構造は、異なる二つの絶縁膜の接合界面に、前記絶縁膜を構成する元素以外の金属元素(Ｍ1)と酸素(Ｏ)とが化学結合された単分子層程度のＯ-Ｍ1-Ｏ層を備え、
外部電気刺激によって前記Ｏ-Ｍ1-Ｏ層近傍に誘起される界面ダイポールの強度又は極性を変化させることで情報を記憶する、不揮発性記憶素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
