目的
不純物ドープ単結晶ダイヤモンドからなる半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、半導体と金属材料との接触抵抗値が非常に小さい、新規な半導体−金属複合材料を提供する。
効果
不純物ドープ単結晶ダイヤモンドからなる半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、半導体と金属材料との接触抵抗値が非常に小さい、新規な半導体−金属複合材料を提供することができる。本発明の半導体−金属複合材料は、例えば１００〜４００℃程度の高温環境下においても、長期間に亘って非常に低い接触抵抗値を保持することができる。さらに、本発明によれば、当該半導体−金属複合材料を好適に製造することができる。
技術概要
半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、
前記半導体は、ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドであり、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの前記不純物の濃度が、１×１０↑（19）〜１×１０↑（22）ｃｍ↑（-3）であり、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドが、前記不純物とは異なる金属元素を含む、半導体−金属複合材料。
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