目的
透明電極としてグラフェン膜を用いた有機ＥＬ素子において、リーク電流を減少させ、かつ高輝度化を実現した有機ＥＬ素子を提供する。
効果
用いるＰＥＮ基板の平坦性が非常に高いことから、有機ＥＬ素子を構成する各層は均一に厚みを保つことができており、リーク電流が低減でき、その結果、機発光ＥＬ素子において輝度が高くなるという効果が得られる。また、用いるＰＥＮ基板の耐熱性が高いことから（〜１５０℃）、素子作製プロセスを経てもＰＥＮ基板の表面構造はほとんど変わらないという効果が得られる。
技術概要
透明樹脂基板１０１上に、グラフェン膜１０２、ホール注入層１０３、有機ＥＬ層１０４、及び陰極１０５が積層されてなる有機ＥＬ素子において、透明樹脂基板に、平坦性の高いポリエチレンテレフタレートを用いることでリーク電流を抑制し、高輝度化を実現する。
本発明者らは、化学ドーピング材料なしで有機ＥＬ素子の高輝度化や低電圧駆動化を求めてきたが（特願２０１４−１８８１０４参照）、更に検討した結果、リーク電流の原因のもう一つは、透明基板自体の平坦性があまり高くないことがあげられることが判明した。
そして、本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、透明樹脂基板に、平坦性の高いポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基板を用いることで、有機ＥＬ素子のリーク電流を減少させ、また高輝度化を実現できるという知見を得た。
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