適用製品
酸化物半導体薄膜、半導体素子、光電変換素子、太陽電池、及び酸化物半導体薄膜の製造方法
目的
酸化物によるｐ型半導体薄膜を実現することにより、化学的安定性及び長期耐久性に優れる、整流半導体素子、光電変換素子、太陽電池等を提供する。
効果
本発明のｐ型半導体薄膜は、酸化物材料からなるので、化学的安定性と長期耐久性に優れる。また、本発明によれば、ｐ型半導体薄膜を用いたｐｎ接合構造を、酸化物材料で構成することができるので、光電変換素子や太陽電池において、高効率化かつ長寿命化を図ることができる。ペロブスカイト関連構造における元素の組み合わせや組成を制御することにより、光電変換素子、とりわけ太陽電池に最適なバンドギャップ値を設定することができ、酸化物材料を用いて太陽電池を作製できるので、発電効率の高いメンテナンス不要な太陽電池モジュールを実現できる。
技術概要
ペロブスカイト型関連構造を有し、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｉｒのうちの１種又は２種以上の元素と希土類元素とアルカリ土類金属元素とを含有する酸化物半導体薄膜により、ｐ型半導体を実現する。具体的組成が、化学式：（ＲＥ↓（１−ｘ）ＡＥ↓ｘ）Ｍ１Ｏ↓３、又は（ＡＥ↓（１−ｙ）ＲＥ↓ｙ）↓２Ｍ２Ｏ↓４（ただし、ＲＥは、希土類元素（Ｓｃ、Ｙ、ランタノイド（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ））のうちの１種又は２種以上の元素、ＡＥは、アルカリ土類金属元素Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうちの１種又は２種以上の元素、Ｍ１、Ｍ２は、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｉｒのうちの１種又は２種以上の元素、０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表される。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
