適用製品
遷移金属シリサイド膜、該遷移金属シリサイド膜を用いた半導体装置、並びに該遷移金属シリサイド膜の製造方法及び製造装置
目的
半導体装置などに有用な遷移金属シリサイド膜、該遷移金属シリサイド膜を用いた半導体装置、並びに該遷移金属シリサイド膜の製造方法及び製造装置を提供する。
効果
本発明の遷移金属シリサイド膜は、所望の光学ギャップや電子移動度の特性を有する膜を実現可能であるので、半導体装置の電極構造、半導体チャンネル層、ディスプレイ等に幅広く利用できる。また、本発明の製造方法や製造装置によれば、遷移金属シリサイド膜の大面積化、均一化に適し、ＬＳＩの集積化や微細化等がさらに期待でき、産業上有用である。
技術概要
シリコン／遷移金属の組成比が３より大で１６以下の遷移金属シリサイド膜を、遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスの化学反応により作製することにより実現する。遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを気相中で化学反応させることにより、シリコン／遷移金属の組成比が３より大で１６以下の前駆体を気相中で作製した後に、該前駆体を基板上に堆積して、シリコン／遷移金属の組成比が３より大で１６以下の遷移金属シリサイド膜を該基板上に作製する。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
