適用製品
半導体チップ、半導体装置及び半導体検査システム
目的
ＴＳＶに関する不良を好適に検査することのできる半導体チップ、半導体装置及び半導体検査システムを提供する。
効果
シリコン基板１１０に発生し、検出回路１１２に入力される電圧波形により、ＴＳＶ１２０に不良が発生しているか否か、及びどのような不良が発生しているかを、半導体チップ１００を他の半導体チップと積層する前に、特定することが可能である。半導体チップ１００及び２００を接続する接続部分の異常も検出することができる。
技術概要
半導体チップ１００は、基板１１０と、ＴＳＶと、メタル配線１３０と、検出回路１１２とを含む。ＴＳＶは、基板１１０を貫通する１以上のＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）を含む。メタル配線１３０は、１以上のＴＳＶに電気的に接続され、基板の電位を安定させるためのガードリングとして機能する。検出回路１１２は、基板１１０に実装されると共にメタル配線１３０に電気的に接続され、ＴＳＶからの信号をメタル配線１３０を介して検出する。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
