目的
本発明者らは、ＭＲ素子をＶＣＯと同様にＰＬＬ回路と組み合わせて高周波位相同期発振回路を試作し実験した。しかし、ＰＬＬ回路が全く機能しなかった。本課題は、この機能しない問題を解決することにある。
効果
磁気抵抗素子を用いた高周波位相同期発振回路において、発振周波数ｆoutの発振スペクトルを狭く鋭くして、ピーク幅が狭くなるという効果がある。これは周波数が安定であることを意味する。そのため、本発明の高周波位相同期発振回路を通信に使えば、例えば、チャンネル密度を高めることができるという効果を奏する。
技術概要
発振周波数ｆoutの高周波を発振する磁気抵抗素子；
基準周波数ｆrefの基準信号を出力する基準信号源；及び
位相比較器、ループフィルタ及び分周器を備えた位相同期ループ回路；
を備えた高周波位相同期発振回路であって、
前記ループフィルタから出力された位相誤差信号に応じた電圧Ａと前記磁気抵抗素子から高周波を発振させるためのバイアス電圧Ｂとを加算し、加算されたバイアス電圧(Ａ＋Ｂ)を磁気抵抗素子に入力する加算器；
及び
前記分周器の入力側であって、かつ前記分周器と前記磁気抵抗素子との間に、前記基準周波数ｆrefをカットし前記発振周波数ｆoutを通すフィルタ；
を設けたことを特徴とする高周波位相同期発振回路。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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