適用製品
ナノデバイスとその集積回路、及びナノデバイスの製造方法
目的
ダイオード、トンネル素子、ＭＯＳトランジスタなどの電子デバイスと組み合わされるナノデバイス、その集積回路及びナノデバイスの製造方法を提供する。
効果
パッシベーション層上で金属ナノ粒子又は機能分子の上に、ゲート電極を設けることができ、ナノデバイスを集積化することができる。さらにゲート電極上に別の絶縁膜を設け、適宜ビアホールを開けることにより、配線のための電極を構築することで集積化を図ることができる。
また、ナノギャップ電極の作製とほぼ同時に、ダイオード、トンネル素子、ＭＯＳトランジスタを作製することができる。よって、デバイスの三次元集積化を図ることができる。
技術概要
第１の絶縁層と、
上記第１の絶縁層上にナノギャップを有するように設けられた一方の電極と他方の電極と、
上記一方の電極と上記他方の電極との間に配置された金属ナノ粒子と、
上記第１の絶縁層、上記一方の電極及び上記他方の電極の上に設けられ、上記金属ナノ粒子を埋設する第２の絶縁層と、
上記第１の絶縁層上に上記一方の電極と上記他方の電極との配置方向に対して交差する方向に設けられ、かつ上記第２の絶縁層によって被覆された一又は複数のサイドゲート電極と、
上記第２の絶縁層上に設けられたトップゲート電極と、
を備え、
上記金属ナノ粒子と上記一方の電極との間、上記金属ナノ粒子と上記他方の電極との間には、上記第２の絶縁層の一部として単分子膜が介在する、ナノデバイス。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
