目的
ゲルマニウム層と酸化ゲルマニウムを含む膜との界面状態が良好であり、かつ薄い酸化ゲルマニウムを含む膜を成膜する。
効果
本発明によれば、ゲルマニウム層と酸化ゲルマニウムを含む膜との界面状態が良好であり、かつ薄い酸化ゲルマニウムを含む膜を成膜することができる。
技術概要
ゲルマニウム層と、
前記ゲルマニウム層上に形成された酸化ゲルマニウムを含む膜と、前記酸化ゲルマニウムを含む膜上に形成され、酸化シリコンより比誘電率の大きな高誘電体酸化膜と、を含む絶縁膜と、
を具備し、
前記絶縁膜のＥＯＴが２ｎｍ以下であり、かつ前記絶縁膜上に金属膜としてＡｕを形成した際の前記金属膜の前記ゲルマニウム層に対する電圧をフラットバンド電圧から蓄積領域側に１Ｖ印加したときのリーク電流密度が１０↑（−５×ＥＯＴ＋４）Ａ／ｃｍ↑２以下であり、
前記ゲルマニウム層はｐ型であり、前記ゲルマニウム層内の面電子密度をＮ↓ｓ（ｃｍ↑（−２））、前記ゲルマニウム層のスプリットＣＶ法を用い求めた電子移動度をμ↓（ｅ）ｆ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）としたとき、
Ｎ↓ｓが５×１０↑（１２）ｃｍ↑（−２）以上において、ｌｏｇ↓（１０）μ↓（ｅｆｆ）＞−０．５９×ｌｏｇ↓（１０）Ｎ↓ｓ＋１０．１９であることを特徴とする半導体構造。
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