適用製品
半導体単層カーボンナノチューブ及びその製造方法
目的
これまで以上の大きな発光エネルギーシフトを達成して発光波長を長波長化すること、特に、組織又は生体用の透過性近赤外蛍光プローブとして好ましい、生体透過性を有する波長に、その発光波長のピークを有する半導体ＳＷＣＮＴを得ること。
効果
本発明によれば、従来法では達成し得なかった発光エネルギーが２９６±１０ｍｅＶ低エネルギー化した半導体ＳＷＣＮＴを得ることができる。また、本発明を、カイラル指数(６，５)を持つＳＷＣＮＴに適用すると、その発光波長のピークは約９８０ｎｍ(＝１.２６５ｅＶ)から、生体透過性をより有する１２８０±１３ｎｍ(＝０.９６８６±０.０１ｅＶ)へと変化するため、細胞や生体用の近赤外蛍光プローブとして好ましい波長帯に発光波長のピークを有するものが得られる。
技術概要
大気中で半導体単層カーボンナノチューブに直接紫外線を照射することにより、オゾンを発生させて半導体単層カーボンナノチューブを酸化処理することを特徴とする近赤外発光する半導体単層カーボンナノチューブの製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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