目的
強磁性体材料と絶縁材料の間に、強磁性体と絶縁体の界面における化学結合を抑制するための、界面をなす双方の材料と化学結合をもたない、電子軌道の混成を抑制し、電界印加時に界面における電位降下を抑制し、かつ、挿入した薄膜自身が印加電界を遮蔽しない薄い材料を挿入する。
効果
本発明の構成による磁気メモリー素子では、強磁性体材料と絶縁材料の間の電子軌道の混成が抑制され、電界印加時に界面における電位降下が抑制されるため、リーク電流による消費電力(ジュール熱)増大を防ぎ、素子の安定性が向上する。
よって本発明の磁気メモリー素子をメモリーセルに構成した場合、熱設計を容易にし、セルに動作安定性をもたらす。
技術概要
第１電極と、磁化方向可変層と、絶縁層と、磁化方向固定相、第２電極とを順次積層した磁気メモリー素子であって、
さらに該磁化方向可変層と該絶縁層の間に原子が層状に配列している層状物質からなる層を挿入して、
該磁化方向可変層と該絶縁層との界面における電子軌道の混成を抑制して第１電極と第２電極の間の電界印加時に該界面における電位降下を抑制したことを特徴とする磁気メモリー素子。
基本情報
開放特許情報
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