イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法

開放特許情報番号:L2015000875 開放特許情報登録日:2015/4/23 最新更新日:2023/1/23

基本情報
出願番号
公開番号
WO2010/143479
登録番号
出願日
2010/4/27
公開日
2010/12/16
出願人
日新イオン機器株式会社、国立大学法人京都大学
特許権者
日新イオン機器株式会社、国立大学法人京都大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造 材料・素材の製造
適用製品
イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法
目的
従来部品の配置が制約されていた磁石近傍のスペースを有効活用することによって、特別な磁極構造を不要としながらも、電子の利用効率を向上して空間電荷効果によるイオンビームの広がりを効率的に抑制すること。
効果
このように構成した本発明によれば、従来部品の配置が制約されていた磁石近傍のスペースを有効活用することによって、特別な磁極構造を不要としながらも、電子の利用効率を向上して空間電荷効果によるイオンビームの広がりを効率的に抑制することができる。
技術概要
イオンビームをターゲットに照射するイオンビーム照射装置であって、正イオンからなるイオンビームを生成するイオン源と、 前記イオン源及び前記ターゲットの間に設けられ、前記イオン源から出たイオンビームをターゲットに照射するために偏向、収束又は発散させる1又は複数の磁石と、電子を生成する1又は複数の電子源と、を備え、前記電子源が、前記磁石のイオンビーム上流側及び/又は下流側に形成される磁場勾配領域内に配置され、且つ、前記イオンビームが通過する領域外に配置されるとともに、前記電子源の電子射出方向が、前記磁場勾配領域に電子が供給されるように向けられて、前記電子源から射出された電子が、前記磁場勾配領域における前記イオンビームと交わる領域に供給されることを特徴とするイオンビーム照射装置。
アピール内容
京都大学「産学連携情報プラットフォーム(フィロ)」をご紹介します。
産学連携の新たな取り組みなど、有益な情報を発信しています。

https://philo.saci.kyoto-u.ac.jp/
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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