目的
バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去するとともに、エピタキシャル層に生じたマクロステップバンチングを除去可能なＳｉＣ基板の表面処理方法を提供する。
効果
バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去可能なＳｉＣ基板の表面処理方法を提供することができる。
技術概要
このＳｉＣ基板の表面処理方法では、以下の第１工程及び第２工程の何れかを含む。第１除去工程では、基板７０に機械的研磨や化学機械研磨を行うことで生じた変質層を、当該基板７０をＳｉ蒸気圧下で加熱することで除去する。第２除去工程では、エピタキシャル層７１に生じたマクロステップバンチングを、基板７０をＳｉ蒸気圧下で加熱することで除去する。なお、エッチング速度は可変であるので、第１除去工程のエッチング速度を速くすることで、変質層を短時間で除去できる。一方、第２除去工程のエッチング速度を比較的遅くすることで、エピタキシャル層７１の過剰な除去を防止できる。
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