目的
半導体装置の層間絶縁膜などの絶縁膜にあっては、誘電率が4以下の低誘電率絶縁膜が用いられるが、多孔質材料からなる低誘電率絶縁膜では、膜自体の機械的強度が低く、プラズマ耐性も低い。そこで、ダメージ回復処理の際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによって処理が行われ、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。
効果
プラズマ処理を受けて生じたシラノール基が回復処理により消滅し、ダメージを受けた絶縁膜をほぼ完全なまでに回復させることができる。また、ダメージを受けた絶縁膜と回復剤との反応によって生成される副生成物が、二酸化炭素や酸素などの常温で気体であるため、配線材料上に回復剤あるいはその反応生成物が残留することがなく、後工程に悪影響を与えることがない。さらに、回復処理がドライプロセスで行われるので量産性にも優れている。
技術概要
プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、tert-ブチル基を有する化合物、炭化水素基とアミノ基を含む化合物、および乳酸化合物のうち少なくとも1種以上からなり、シリコンを含まない回復剤と接触させてダメージ回復処理を行う。
基本情報
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登録者情報
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