適用製品
ＩＶ族クラスレートを効率よく製造する方法
目的
膜状のクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。
効果
本発明のクラスレートの製造方法は、好適な膜状のシリコンクラスレートを製造することができる。その結果得られたクラスレートは、太陽電地、熱電素子、超伝導材料として利用可能である。
技術概要
クラスレートの製造方法であって、
ゲスト原子を収容した開口部を有する容器と、IV族元素のホスト原子からなる基板と、を反応容器内に配置し、不活性ガスの雰囲気下で５００℃以上の温度により０．５時間以上２４時間以下の加熱時間で加熱する第一加熱工程と、
ゲスト原子を収容した前記容器とホスト原子からなる前記基板とが配置されている反応容器を冷却する冷却工程と、
前記基板を、１０－２Ｐａ以下の陰圧下で３００℃以上４５０℃以下の温度により１時間以上加熱する第二加熱工程と、
を備えており、
第一加熱工程において、ホスト原子からなる前記基板を、前記容器の開口部よりも低い位置に配置することを特徴とするクラスレートの製造方法。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
