目的
光通信の高周波帯域に対応して十分な信号レベルの受信信号を出力する量子ドット型高速フォトダイオードを提供する。
効果
この発明によれば、量子ドットを含めて光吸収層を形成したので、高周波の光信号を入射した場合でも大きな信号電流を出力することができる。
技術概要
Ｐ型半導体層と、
前記基板に積層されたＮ型半導体層と、
前記Ｐ型半導体層と前記Ｎ型半導体層との間に形成された量子ドットを含む量子ドット層からなり、高周波の光信号に対応する層厚を有する光吸収層と、
前記Ｐ型半導体層に接続する第１電極と、
前記Ｎ型半導体層に接続する第２電極と、
を有し、
前記第１電極と前記第２電極との間にバイアス電圧が印加されているとき、
前記光吸収層へ入射した光信号に応じて前記量子ドットならびに価電子帯から励起したキャリアの移動によって信号電流を出力する、
ことを特徴とする量子ドット型高速フォトダイオード。
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