適用製品
希土類アルミノボライド熱電半導体の製造方法及びそれを用いた熱電発電素子
目的
高温領域で使用することができ、組成比を変えることによってｎ型とｐ型の両方の型の熱電特性を示す熱電半導体を提供する。
効果
基本的に同じ製造プロセスによって両方の型の熱電半導体を製造することが出来るという製造上の利点とともに、熱膨張率などの熱的特性が揃った一対の熱電半導体が得られるので、熱サイクルを繰り返したときの熱膨張率の違いなどの熱的特性の違いによる熱電素子の劣化や損傷を防止・低減することができる。
大量の粉末試料を合成することができ、Ａｌ量によってｐ型およびｎ型の何れの熱電半導体でも製造することができる。
技術概要
熱電半導体として希土類アルミノボライドＹ↓ａＡｌ↓ｘＢ↓（１４）（ここで、０．４９＜ｘ＜０．６３、０．３０＜ｙ＜０．７０）を使用する。Ａｌの組成比ｘの値が０．５３より大きい場合にはｎ型、それより小さい場合にはｐ型の熱電特性が発現する。なお、Ｙの組成比については上式の範囲であれば熱電特性に大きな影響は与えない。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
