適用製品
半導体装置、インターポーザ及びその製造方法
目的
３次元集積回路において、流路を設けるために半導体チップを厚くすることなく、放熱性に優れた半導体装置、インターポーザ、及びその製造方法を提供する。
効果
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、流路を設けるために半導体チップを厚くすることなく、放熱性に優れた半導体装置を製造することができる。
また、本実施形態に係るインターポーザの製造方法によれば、放熱特性の高い３次元集積回路を製造するのに適したインターポーザを製造することができる。
そして、本実施形態に係るインターポーザによれば、冷媒が導入される流路を構成する溝を備えることにより、放熱特性の高い３次元集積回路を製造するのに適したインターポーザを実現することができる。
技術概要
第１面の一部に形成された溝と、前記溝以外の領域において前記第１面と前記第１面の裏面の第２面との間を貫通するビアとを備えるインターポーザと、
前記インターポーザの前記第１面側に搭載された第１半導体チップと、
前記インターポーザの前記溝以外の領域と前記第１半導体チップとの間に設けられ、前記インターポーザと前記第１半導体チップとを接着する接着層と、
を備え、
前記溝及び前記接着層により、前記第１半導体チップに接触する冷媒が導入される流路が形成されている、
半導体装置。
基本情報
開放特許情報
登録者情報
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