適用製品
結晶配向層積層構造体、電子メモリ及び前記結晶配向層積層構造体の製造方法
目的
下地基板や電極基板の材質を幅広く選択可能な結晶配向層積層構造体、前記結晶配向層積層構造体を用いた電子メモリ及び前記結晶配向層積層構造体の製造方法を提供すること。
効果
従来技術における前記諸問題を解決することができ、下地基板や電極基板の材質を幅広く選択可能な結晶配向層積層構造体、前記結晶配向層積層構造体を用いた電子メモリ及び前記結晶配向層積層構造体の製造方法を提供することができる。
技術概要
下地基板や電極基板の材質を幅広く選択可能な結晶配向層積層構造体、前記結晶配向層積層構造体を用いた電子メモリ及び前記結晶配向層積層構造体の製造方法を提供する。本発明に係る結晶配向層積層構造体は、基板と、前記基板上に積層されるとともにゲルマニウム、シリコン、タングステン、ゲルマニウム−シリコン、ゲルマニウム−タングステン及びシリコン−タングステンのいずれかで形成され、厚みが薄くとも１ｎｍ以上である配向制御層と、前記配向制御層上に積層されるとともにＳｂＴｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＢｉＴｅ、Ｂｉ２Ｔｅ３、ＢｉＳｅ及びＢｉ２Ｓｅ３のいずれかを主成分として形成され、一定の結晶方位に配向される第１の結晶配向層と、を有することを特徴とする。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
