適用製品
トンネル電界効果トランジスタによる集積回路及びその製造方法
目的
２つのトンネル電界効果トランジスタを電気的に接続した回路の形成に必要な面積及びコストを減少させ、かつ、寄生容量・寄生抵抗も減少させる。
効果
２つの活性領域の間を跨ぐように配設された金属配線によって、一方のトンネル電界効果トランジスタのドレイン領域と他方のトンネル電界効果トランジスタのソース領域とを接続する構成に比べて、必要とする面積が小さくなり、コスト削減につながり、また配線による寄生容量・寄生抵抗も削減できる。
技術概要
トンネル電界効果トランジスタによる集積回路は、第１のＰ型領域及び第１のＮ型領域の一方がソース領域、他方がドレイン領域として動作する第１のトンネル電界効果トランジスタと、第２のＰ型領域及び第２のＮ型領域の一方がソース領域、他方がドレイン領域として動作する第２のトンネル電界効果トランジスタとが、同一極性で一つの活性領域に形成されるとともに前記第１のＰ型領域と前記第２のＮ型領域とが隣接するように形成され、隣接する前記第１のＰ型領域と前記第２のＮ型領域とが金属半導体合金膜により電気的に接続されていることを特徴とする。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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