目的
圧電デバイスに関し、結晶配向性に基づいて圧電特性を向上させながら、圧電薄膜に亀裂を生じさせることなく信頼性をも確保する。
効果
薄膜構造体を有するＭＥＭＳデバイスに交流電圧印加処理が適用されることをもって、結晶配向性に基づいて圧電特性を向上させながら、信頼性をも確保することができる。
本発明の圧電ＭＥＭＳデバイスは、例えばセンサ業界、印刷業界、無線センサ業界などの各種の産業分野において、ジャイロ、インクジェットヘッド、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチ、リレースイッチ、無線センサ端末起動スイッチ、振動発電素子などに広く利用できる。
技術概要
圧電ＭＥＭＳデバイス１は、半導体加工プロセスにより作製される機械要素を含む構造体２０と、構造体２０を支持する支持基板１０と、構造体２０により支持されるＰＺＴ薄膜２１と、を備えている。構造体２０は、支持基板１０の支持面１０Ｓ上に支持されるレバー基端部２２Ａと、支持面１０Ｓを超えて延在するレバー先端部２２Ｂと、を有している。ＰＺＴ薄膜２１は、構造体２０において少なくともレバー先端部２２Ｂに設けられているとともに、支持基板１０の成形後に行われる交流電圧印加処理によりｃ軸配向性が高められている。
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