適用製品
裏面照射型固体撮像装置及びこれを含む撮影装置
目的
高い開口率を実現可能にするとともに、生成された電荷を迅速かつ効率的に取り出すことのできる構造を有する光電変換層を有する裏面照射型固体撮像素子を提供する。
効果
高い開口率を実現可能にするとともに、生成された電荷を迅速かつ効率的に取り出すことのできる構造を有する光電変換層を有する裏面照射型固体撮像素子及びこれを含む撮影装置を提供できる。
技術概要
ｎ型半導体層の上層部の一部に形成されるｐ型のウェルと、ｎ型半導体層内のウェルの側部に形成され、ｎ型半導体層よりも不純物濃度が高いｎ型の電荷集積領域と、ウェル及び電荷集積領域に積層される絶縁層と、絶縁層を介して電荷集積領域の上方に形成され、光電変換層内で発生する電荷を集積するための電圧を電荷集積領域に印加する電荷集積ゲート電極と、絶縁層を介してウェルの上方に形成され、電荷集積領域に集積された電荷をウェル内に転送するための電圧を印加する転送ゲート電極とを含み、ウェルの不純物濃度は、幅方向において、端部よりも中央部の方が高く設定される。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
