目的
低気圧に限らず中間気圧から大気圧までの高気圧でも低温の広い幅のプラズマジェットを安定して発生させることができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
効果
低気圧に限らず中間気圧及び高気圧においても安定した広い幅のプラズマジェットの発生・維持がさせることが可能となる。また、以上の結果、大気圧（又は、低気圧若しくは中間気圧）で広い幅のマイクロ波励起プラズマジェットを用いた大面積表面改質、エッチング、アッシング、クリーニング、酸化・窒化及びＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜等の材料プロセシングが可能となる。
技術概要
誘電体基板と、前記誘電体基板の一方の端部に設けられた該誘電体基板の厚みが徐々に小さくなる形状のテーパー部と、
前記誘電体基板の表面と裏面とのうちのいずれかの面である第１の面の一方の端部から他方の端部に渡って設けられたマイクロストリップ線路と、
前記誘電体基板の前記第１の面の反対側の面である第２の面の一方の端部から他方の端部に渡って設けられたアース導体と、
前記誘電体基板の一方の端部において、前記マイクロストリップ線路と前記アース導体との間にマイクロ波を入力するためのマイクロ波入力部と、
前記誘電体基板内にガスを入力するためのガス入力口と、
前記マイクロ波入力部から入力されたマイクロ波によりプラズマを発生させるための空間であり、かつ、前記テーパー部の前記誘電体基板内に設けられた空間であるプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部に一様な流速を持つ広幅のガス流を供給するために前記誘電体基板内部に設けられた、ガス流が進行するに従ってガス流幅が広くなるように形成されたガス流広幅化部と、
前記ガス入力口から入力されるガスを前記ガス流広幅化部に供給するためのガス流路と、
を備えることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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