半導体粒子積層膜、色素増感太陽電池、電気化学発光素子および電子放出素子の各製造方法

開放特許情報番号:L2013002214 開放特許情報登録日:2013/10/25 最新更新日:2013/10/25

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2006/3/15
公開日
2006/11/9
出願人
国立大学法人九州工業大学
特許権者
国立大学法人九州工業大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
半導体粒子積層膜、色素増感太陽電池、電気化学発光素子および電子放出素子の各製造方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
材料・素材の製造 制御・ソフトウェア
適用製品
半導体粒子積層膜、色素増感太陽電池、電気化学発光素子および電子放出素子の各製造方法ならびに色素増感太陽電池
目的
電極に用いる半導体粒子の膜が均一な半導体粒子積層膜、色素増感太陽電池、電気化学発光素子および電子放出素子の各製造方法ならびに色素増感太陽電池を提供する。
効果
エレクトロスプレー技術を用い、正極としてのノズルと負極としての導電性基板等との間に12kV以上の電圧を印加し、半導体粒子をノズルから放出して導電性基板等に堆積させて半導体層(半導体粒子積層膜)を形成するので、斑のない均一な膜を得ることができる。
技術概要
半導体粒子積層膜の製造方法は、半導体粒子を正極としてのノズルから放出し、負極としての導電性基板に堆積させる半導体粒子積層膜の製造方法であって、ノズルと導電性基板との間に12kV以上の電圧を印加する。半導体粒子が形状異方性を有し、堆積した半導体粒子積層膜の半導体粒子が配向性を有する。
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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