適用製品
導電性ブリッジメモリ装置及び同装置の製造方法
目的
同装置のスイッチング特性制御に明確な設計指針を与え、所望のスイッチング特性を実現するための素子構成を提供すること。
効果
電極A構成原子の拡散を媒介する溶媒の調整により、抵抗スイッチング特性、特に、抵抗スイッチングが生じる電圧や電流の制御が可能となり、抵抗スイッチングを発生させるために必要な電力とスイッチング電圧のばらつきを低減することができ、蒸発及び電気分解し難い溶媒を酸化物多結晶膜粒界或いは多孔質体中の水と置換することにより、劣化に強く安定した導電性ブリッジメモリ装置またはスイッチ素子の作製が可能となる利点がある。
技術概要
電気化学的に活性でイオン化し易い第１の金属と電気化学的に安定な第２の金属との間にメモリ層となる多孔質膜体を介在させると共に、前記多孔質膜体の細孔中に非極性性から強極性の有機溶媒もしくは酸・塩基・塩類の水溶液またはイオン液体を留保させたことを特徴とする導電性ブリッジメモリ装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
