適用製品
単結晶又は多結晶のＳｉＣ基板の表面に、単結晶ＳｉＣ層を生成させる技術
目的
元となる単結晶ＳｉＣ基板の結晶多形の如何にかかわらず、その表面を４Ｈ−ＳｉＣ単結晶に改質することが可能な気相技術を提供する。
効果
アモルファスＳｉＣ形成工程及び再結晶工程において他の不純物が単結晶ＳｉＣ基板（又は嵌合容器）に侵入することを防止でき、品質の良好な表面改質単結晶ＳｉＣ基板を得ることができる。
容器に炭素ゲッター機能を良好に発揮させて、その内部空間を高純度のシリコン雰囲気に保つことができる。
原子レベルに平坦な単結晶４Ｈ−ＳｉＣ層を容易にかつ効率良く得ることができる。
エピタキシャル成長工程を一層良好に且つ効率良く行うことができる。
半導体基板として好適な電気特性を有する４Ｈ−ＳｉＣ層を著しく安価に提供することができる。
技術概要
単結晶３Ｃ−ＳｉＣ、単結晶４Ｈ−ＳｉＣ、又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣの何れかよりなる単結晶ＳｉＣ基板を高真空環境において加熱して、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面に炭化層を形成させる炭化工程と、
炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら加熱することで、前記炭化層をシリコンと反応させてアモルファスＳｉＣからなる犠牲成長層を生成させるアモルファスＳｉＣ形成工程と、
炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容した状態で、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら加熱することで、前記犠牲成長層のアモルファスＳｉＣの少なくとも一部を再結晶させて単結晶４Ｈ−ＳｉＣ層を生成させる再結晶工程と、
を含むことを特徴とする表面改質単結晶ＳｉＣ基板の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
