機能
材料・素材の製造
加熱・冷却
機械・部品の製造
目的
被処理物の温度を速やかに所望の温度まで到達させることができ、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
効果
容器の実質的な密閉状態が実現されて、真空又は希薄ガス雰囲気下での本加熱処理時に、容器の内圧が雰囲気に対して高く保持される。従って、不純物の容器内への侵入を防止できる。また、ＳｉＣを処理する場合に、容器の内部空間の炭素分子を、容器のタンタルカーバイド処理がされた部分に選択的に吸蔵でき、これによって容器の内部空間をシリコン飽和蒸気圧に保つことができる。従って、単結晶ＳｉＣの処理に好適な熱処理方法を提供することができる。
技術概要
被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱するための第１室と、
この第１室に隣接する第２室と、
この第２室と前記第１室との間で前記被処理物を移動させるための移動機構と、を備え、
前記第１室の内部には、前記被処理物を周囲から加熱できるように配置される加熱ヒータと、この加熱ヒータの熱を前記被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板と、が備えられ、
前記移動機構は、前記被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板を備え、
前記被処理物が前記第２室内にあるときには、前記第２多層熱反射金属板が前記第１室と前記第２室とを隔てるように位置し、前記加熱ヒータから発生する熱の一部が前記第２多層熱反射金属板を介して前記第２室に供給されて、これにより当該第２室内の被処理物を予備加熱することが可能に構成されていることを特徴とする熱処理装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
