目的
高密度化されている半導体の電流測定対象の配線を切断・変更する必要がなく、回路パラメータに影響を与えずに電流を測定できる電流測定装置を提供する。
効果
高密度化されている半導体の電流測定対象の配線を切断・変更する必要がなく、回路パラメータに影響を与えずに電流を測定できる電流測定装置が得られる。
コイル間の近接距離の調節幅の自由度を確保し、また、ループによるインダクタンスの影響を最小限に抑えることができる。また、高密度化されている半導体の電流測定対象の配線を切断・変更する必要がなく、回路パラメータに影響を与えずに電流を測定できる電流測定装置が得られる。
本発明は、ＩＧＢＴその他のパワー半導体回路の電流測定に好適に利用することができる。
技術概要
測定電流から生じる磁束を検出する磁束検出装置と、磁束検出装置の出力電圧を電流波形に変換する積分装置と、電流波形を視覚化する電流波形観測装置とを有し、磁束検出装置１０は、ベース基板の両面に導電パターンにより形成した一対の表裏対称な形状をした第１コイルＣ１と、測定配線を配置する位置に対して第１コイルＣ１と線対称に第２コイルＣ２を配置し、第１コイルＣ１および第２コイルＣ２のそれぞれの表の巻き終わりの導電パターンと裏の巻き始めの導電パターンの端部間、および第１コイルＣ１の巻き終わりの導電パターンの端部と第２コイルＣ２の巻き始めの導電パターンの端部間とを、それぞれベース基板を貫通するスルーホールにより接続した構造とした電流測定装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
