目的
リン系化合物半導体の原料としてホスフィンおよびオキシ塩化リンを使用しないで、高圧に加圧することなく効率よくリン系化合物半導体を製造することができるリン系化合物半導体の製造方法を提供する。
効果
リン系化合物半導体の原料としてホスフィンおよびオキシ塩化リンを使用しないで、高圧に加圧することなく効率よくリン系化合物半導体を製造することができる。
技術概要
ルテニウム単体とマンガン単体の混合物を溶融して両者の単相固溶体を作製し、該単相固溶体を、硫酸、硫酸アンモニウム等のマンガンを選択的に溶解する溶液に浸漬する。或いは、更に電解を行ってもよい。これにより、該単相固溶体中からマンガンが選択的に除去され、ルテニウム多孔質体が得られる。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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