目的
従来のシリコン系細線光導波路の加工方法を改善し、高エネルギーのイオン照射によるシリコン系細線光導波路の光伝搬損失を低減するとともに、セルフアライメント的かつ立体的に湾曲したシリコン系細線光導波路の端部を得ることができるシリコン系細線光導波路の加工方法を提供する。
効果
本発明によれば、少なくともシリコン系細線光導波路の端部の全部又は一部を除くシリコン系細線光導波路は、保護膜によりイオンの侵入から保護されているため、シリコン系細線光導波路の光伝搬損失は大幅に低減される。
しかも、セルフアライメント的かつ立体的に湾曲したシリコン系細線光導波路の端部を得ることができる。
技術概要
支持層を介して複数のシリコン系細線光導波路が形成された光回路基板を用意する工程と、シリコン系細線光導波路のうち端部を有する所望のシリコン系細線光導波路に対して、該シリコン系細線光導波路の端部の下の支持層を除去する工程と、該シリコン系細線光導波路の端部を除いた該シリコン系細線光導波路の上に保護膜を選択的に形成する工程と、該シリコン系細線光導波路に対して特定の方向からイオンを打ち込むことにより、該特定の方向にセルフアライメント的に該シリコン系細線光導波路の端部を湾曲させる工程とを備えたシリコン系細線光導波路の加工方法。
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