機能
機械・部品の製造
材料・素材の製造
制御・ソフトウェア
目的
基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
効果
単結晶ＳｉＣ基板の表面が分子レベルで平坦化されているので、基板表面に微細構造を精密に作製することが可能になる。
原子レベルで平坦な層を効率良く容易に得ることができる。
機械的な研磨やエッチングでは困難な分子レベルでの平坦化を行うことができる。また、自己組織化されるような形でステップが単結晶ＳｉＣの基板表面に形成されるので、研磨やエッチング等による平坦化処理で生じていた表面のダメージを抑制できる。
技術概要
単結晶４Ｈ−ＳｉＣ又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ基板において、
前記単結晶ＳｉＣ基板が４Ｈ−ＳｉＣ単結晶で構成される場合は、ステップの高さは、０．５ｎｍで一定であるか、１．０ｎｍで一定であるか、又は０．５ｎｍと１．０ｎｍが混在した状態であり、
前記単結晶ＳｉＣ基板が６Ｈ−ＳｉＣ単結晶で構成される場合は、ステップの高さは、０．７５ｎｍで一定であるか、１．５ｎｍで一定であるか、又は０．７５ｎｍと１．５ｎｍが混在した状態であることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
