適用製品
晶成長技術により得られる光半導体基板、光半導体基板の製造方法、及び、光半導体基板から得られた光半導体素子を備えた光源用装置
目的
発光又は受光の効率を向上させることができ、しかも、広帯域でかつ所望のスペクトル形状を得ることが可能となる光半導体基板、光半導体基板の製造方法、及び、この光半導体基板から得られた光半導体素子を備えた光源用装置を提供する。
効果
本発明の光半導体基板によれば、発光又は受光の効率の向上を図り、全体として広帯域なスペクトルを有することができ、しかも、任意のスペクトル形状を得ることが可能となる。そして、本発明の製造方法によれば、このような光半導体基板を得ることができる。
本発明の光源用装置によれば、光半導体基板全体としてのスペクトル形状を、任意の形状とすることが可能となり、例えばＯＣＴ画像の分解能を高めることが可能となる光源用装置となる。
技術概要
電光変換又は光電変換を行う複数の変換部３と、複数の前記変換部３が集積して配置された基板本体２とを備えている。複数の前記変換部３は、電光変換の場合の出力特性又は光電変換の場合の入力特性が異なるものを含み、当該出力特性又は入力特性が異なる変換部３が基板本体１の集積面に沿った方向で分散して配列されている。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
