目的
電解加工を行う際、ＳｉＣ硬度＞砥粒硬度＞ＳｉＣ変性部硬度とすることにより、ＳｉＣより硬度が低く、安価な研磨砥粒により、ＳｉＣ変性部硬度を効率的に切断、研磨可能とする。
効果
ＳｉＣ母材表面に、この母材より硬度の低いＳｉＣ変性被膜を形成し、砥粒の硬度を、ＳｉＣ変性被膜より硬度が高く、かつＳｉＣの母材より硬度の低いものにできるので、ダイヤモンド、ＣＢＮ等の高価な砥粒を使用することなく、きわめて安価なアルミナ、炭化珪素、窒化ケイ素、二酸化ケイ素(シリカ)、酸化ジルコニウム、酸化セリウム等により、ＳｉＣ半導体ウエハの効率的な研磨、切断を行うことが可能となる。またＳｉＣ母材よりも硬度の小さい砥粒を用いることで、母材への損傷を抑制することが可能となる．
技術概要
砥粒を用いてＳｉＣ母材を加工する加工装置であって、加工部(電極工具７)に、砥粒を含む電解液(加工槽２)を供給するとともに、ＳｉＣ母材(ワーク３)と加工部(電極工具７)の間に電解電圧を印加することにより、ＳｉＣ母材(ワーク３)の表面に、この母材より硬度の低いＳｉＣ変性被膜を形成し、砥粒の硬度を、ＳｉＣ変性被膜より硬度が高く、かつ、ＳｉＣ母材(ワーク３)より硬度の低いものとした。
基本情報
開放特許情報
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