目的
酸化マグネシウム（００１）”を含む非磁性体層（トンネル障壁層）の上に約1nmよりも薄い高品質の強磁性体層（強磁性上部電極層）を作製すること。前記非磁性体層に近い側の第１の強磁性体層（強磁性上部電極層の一部）を約1nmよりも薄い平坦な連続膜として作製すること。
効果
本発明によれば、介在層（３ｄ遷移金属元素を含む酸化物層）を設けることで、(００１)結晶面が優先配向した単結晶又は多結晶の酸化マグネシウムを含む非磁性体層（トンネル障壁層）の上に、極めて薄くて平坦な強磁性体層（上部電極層）を作製することが可能となる。それでいて、ＴＭＲ素子の場合、ＭＲ比が余り劣化しないで済む。
技術概要
本発明者らは、偶然にも、そのような濡れ性の悪い“酸化マグネシウム（００１）”層（トンネル障壁層）表面の上に、極めて薄い或る種の介在層（３ｄ遷移金属元素を含む酸化物層）を設けておくと、濡れ性が大幅に改善される結果、上記の問題点が解消され、しかも介在層を設けても極めて薄いのでＴＭＲ素子の磁気抵抗比（ＭＲ比）が余り劣化しないことを見出し、本発明を成すに至った。
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