可視光応答性の半導体光電極の安定化方法及び該方法を用いた水分解反応装置

開放特許情報番号:L2012002879 開放特許情報登録日:2012/10/8 最新更新日:2016/10/20

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2012/7/6
公開日
2014/1/30
出願人
国立研究開発法人産業技術総合研究所
特許権者
国立研究開発法人産業技術総合研究所
権利化状況
権利化済
発明の名称
可視光応答性の半導体光電極の安定化方法及び該方法を用いた水分解反応装置
開放特許情報
技術分野
電気・電子 機械・加工
機能
材料・素材の製造
適用製品
水分解反応装置
目的
金属元素および酸素を含有してなる可視光応答性のn型半導体を光電極に用いた光電気化学的な反応において、犠牲還元剤を用いずに、その半導体材料の光反応中の安定性を向上させ、且つ効率が低下しない、光電極の安定化手法を提供する。
効果
光電気化学的な反応に用いた光電極、特に、水分解用の半導体光電極において、半導体材料の光反応中の安定性を向上させ、且つ効率が低下しない安定化手法を提供できる。また、この手法は粉末光触媒反応や、光センサー用途の半導体に対しても有効な安定化手法を提供できる。
太陽エネルギーを利用した水素製造に利用でき、この手法は水分解用や環境浄化用の粉末光触媒反応や、光センサー用途の半導体に対しても有効な安定化手法を提供できる。
技術概要
反応溶液中に、半導体の構成元素と同じ金属元素イオンを溶解させておき、且つ、その反応溶液中の金属元素イオンの価数が反応の定常状態で安定な高酸化数とすることにより、可視光応答性の半導体光電極の安定性を向上させる。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
固定URLをクリップボードにコピーしました。
Copyright © INPIT Rights Reserved