目的
半導体基板に対して良好なオーミックあるいは整流性の接合を与えることができる半導体コンタクト構造及びその形成方法を提供する。
効果
半導体基板表面に、遷移金属内包ＳｉクラスターＭＳｉ↓ｎを単位構造とした原子層シリサイド半導体を形成し、ＭＳｉ↓ｎの性質を利用することで、半導体基板に対して良好なオーミックあるいは整流性の接合を与えることができる半導体コンタクト構造を得ることができる。
技術概要
遷移金属Ｍとシリコンの組成比が、１：ｎ（７≦ｎ≦１６）の範囲の金属珪素化合物薄膜を半導体基板表面上に作製することを特徴とする半導体コンタクト構造及びその作成方法である。
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