目的
ａ−ＩＧＺＯ｛アモルファスＩｎＧａＯ↓３（ＺｎＯ）↓ｍ｝薄膜の熱処理による閾値電圧が大きく負の値にシフトしてしまう問題の解決とデバイス作製プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑えるようにする。
効果
チャネル層としてａ−ＩＧＺＯ薄膜を用いるＴＦＴにおいて、製膜後に酸化性雰囲気中で熱処理する場合の問題であった閾値電圧が大きく負にシフトしてしまう問題とデバイス作製プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑えるという問題を、従来の製造プロセスを変更することなく熱処理雰囲気の制御と加熱温度の低温化により同時に解決できる。
技術概要
基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル層とを含み、このチャネル層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、オゾンを含む乾燥酸素ガス雰囲気による熱処理後のａ−ＩＧＺＯ薄膜の閾値電圧が０±５Ｖ以内、電界効果移動度が５ｃｍ↑２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタである。また、基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル層とを含み、このチャネル層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法は、半導体膜を製膜した後、乾燥酸素中にオゾンを１．０容積％以下０．０１容積％以上含む乾燥酸素ガス雰囲気中で該半導体膜を１００〜２００℃の温度範囲内で１〜１２０分間、熱処理する。この製造方法によって、特に、アクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイ及び有機ＥＬディスプレイのバックプレーンとして、実用可能なＴＦＴ特性を実現できる。
基本情報
開放特許情報
登録者情報
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