適用製品
ホスフィンおよびアルシン、新規な配位子、新規遷移金属錯体、当該新規遷移金属錯体からなる触媒
目的
リンまたはヒ素の両オルト位に置換基を持たないことで金属との強い配位力を有し、なおかつ公知の最高水準の配位子に匹敵する電子求引力を有する、遷移金属錯体の新規の配位子を提供する。
効果
芳香族ホスフィン（P-Ar型）の中で最強の電子求引性を有しながらも、金属触媒との配位が容易である。この事は、配位した金属に対し従来にない電子的影響を存分にもたらし、触媒活性を飛躍的に向上させることが可能である。
医薬品に必須である光学活性アミノ化合物の効率的合成に繋がるものである。本事実はこれら反応における優位性を示すだけでなく、他の（不斉）触媒反応においても、触媒の高機能化や新型反応の開発を実現化する事を予期させる結果でもあり、非常に将来性豊かな配位子である事を示している。
技術概要
本発明に係る配位子は、一般式（１）：Ｒ↑1Ｒ↑2Ｒ↑3Ａまたは一般式（２）：Ｒ↑1Ｒ↑2Ａ−Ｙ−ＡＲ↑3Ｒ↑4で表され、かつ総炭素原子数が１５〜１１０である化合物からなる配位子である。式中、Ａはリンまたはヒ素を示し；Ｒ↑1、Ｒ↑2、Ｒ↑3およびＲ↑4は、それぞれ独立して、Ａの両メタ位に互いに相違していてもよい電子求引性基が結合し、Ａの両オルト位に水素原子が結合した置換ピリジル基を示し；Ｙは炭素原子数が２〜２０の置換されていてもよくヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族、脂環式もしくは芳香族化合物またはフェロセンにより形成される２価の基を示す。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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