適用製品
容易に厚みが変化する膜や揮発性の高い液体膜などの測定、液体薄膜・液晶薄膜・高分子吸着層などとの間のずり応力を測定
目的
試料のせん断応答の測定において、試料の片側表面の振動の減衰曲線をフーリエ変換し、共振ずり曲線を得ることにより、その簡便な短時間測定を行うことができる共振ずり測定方法及び基板あるいは試料が不透明である場合に基板間の距離が測定できるツインパス法を用いて、精密なずり応力測定を行うことができるツインパス型ずり応力測定方法及びその装置の提供。
効果
特に、固体表面間のナノメートルレベルの厚みを持つ液体薄膜の物性の簡便で正確な計測に好適である。また、不透明基板間の距離を測定するためのツインパス法を用いて精密なずり応力測定を行うことができるツインパス型ずり応力測定装置として利用可能であり、第１の共振ずり測定方法同様に、固体表面間のナノメートルレベルの厚みを持つ液体薄膜の物性の簡便で正確な計測に好適である。
技術概要
本技術の共振ずり測定方法において、入力信号Ｕ↓（ｉｎ）を共振ずり測定ユニットの水平駆動部に入力し、この共振ずり測定ユニットにおける固体表面に挟まれた試料に対してその片側表面の振動を変位計で出力信号Ｕ↓（ｏｕｔ）として検出し、入力信号Ｕ↓（ｉｎ）とともに、出力信号Ｕ↓（ｏｕｔ）を共振ずり計測装置に入力し、共振ずり測定ユニットの固体表面に挟まれた試料のせん断応答を膜厚の変化と共に計測する共振ずり測定方法であって、試料の片側表面の振動の減衰曲線をフーリエ変換し、共振ずり曲線を得ることを特徴とする。また、入力信号Ｕ↓（ｉｎ）を共振ずり測定ユニットの水平駆動部に入力し、固体表面間に試料を挟まず固体表面そのものを試料とし、この共振ずり測定ユニットにおける試料の片側表面の振動を変位計で出力信号Ｕ↓（ｏｕｔ）として検出し、入力信号Ｕ↓（ｉｎ）とともに、出力信号Ｕ↓（ｏｕｔ）を共振ずり計測装置に入力し、共振ずり測定ユニットの試料のせん断応答を膜厚の変化と共に計測する共振ずり測定方法であって、試料の片側表面の振動の減衰曲線をフーリエ変換し、共振ずり曲線を得ることを特徴とする。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
