適用製品
共有結合を持つ化合物半導体、大電流デバイス、青色発光デバイス、ワイドバンドギャップ半導体基板
目的
炭化珪素（ＳｉＣ）やダイヤモンドなどからなる基板の表面を、サブサーフェスダメージを残すことなく極めて平滑に、しかも能率よく研磨することが可能な研磨方法およびこの方法により得られた基板、並びに研磨装置の提供。
効果
この技術の研磨方法または研磨装置によれば、ＳｉＣやダイヤモンドからなる基板の表面を、サブサーフェスダメージ等を残すことなく極めて平滑に、かつ能率よく研磨することが可能となる。
技術概要
この技術の研磨方法は、基板の被研磨面に研磨定盤を高圧で接触させると共に研磨定盤の裏面から基板の被研磨面に紫外線を照射しつつ、基板を研磨定盤に対して相対的に擦動させることにより研磨するものであり、特に、研磨対象が、炭化珪素（ＳｉＣ）またはダイヤモンド（Ｃ）からなる基板である場合に有効である。また、この技術の研磨方法では、基板の被研磨面または研磨定盤のうち少なくとも一方に例えば赤外線を照射し、加熱することが好ましく、これにより基板の研磨能率が向上する。そして、この技術の研磨装置は、表面に溝または孔を有すると共にこれら溝または孔に固体光触媒粒子が埋め込まれた研磨定盤と、基板を保持する基板ホルダと、研磨定盤の固体光触媒粒子に対して紫外光を照射する紫外光源ランプと、基板ホルダを介して基板の被研磨面を研磨定盤の表面に高圧で押し付けると共に、基板を固体光触媒粒子に対して相対的に擦動させる駆動手段と備えて構成されている。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
