物質検出装置

開放特許情報番号:L2011001113 開放特許情報登録日:2011/2/25 最新更新日:2020/10/21

基本情報
出願番号
公開番号
WO2008/007716
登録番号
出願日
2007/7/11
公開日
2008/1/17
出願人
国立大学法人名古屋大学
特許権者
国立大学法人東海国立大学機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
物質検出装置
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造 検査・検出
適用製品
生物細胞群、生体分子、生体物質、バイオチップ、塩基配列、DNAチップ
目的
小型で多種類又は平面的な分布を有する物質を検出する装置であって、検出精度を向上させることができると共に、一度で、未知のDNA構造を特定できる検出装置の実現。
効果
この技術によればCMOSから成るカレント・ミラー回路で各セルの制御回路を構成したことにより、セル内に小さな面積で制御回路を入れることができ、それぞれのセル内の電荷検出用電界効果トランジスタを保護することができる。また、セルを行列配置とすることで、多数の物質を一度に検出することができ、平面的に電荷分布を生じている物質であれば、その物質の平面的分布を検出することができる。また、NMOSFETとPMOSFETを組み合わせることにより部品点数が少なく低消費電力の回路を構成することができる。
技術概要
この技術は、電荷検出用電界効果トランジスタのゲートに付着する物質の電荷量を測定することで、この物質を特定する物質検出装置において、電荷検出用電界効果トランジスタと、電荷検出用電界効果トランジスタを流れる電流と端子間電圧を一定に制御するCMOSから成るカレント・ミラー回路からなる制御回路と、を1セルとして、セルを行列配置させてなる。そして、制御回路は、電荷検出用電界効果トランジスタが一方の電流路に挿入され、第1抵抗、第1トランジスタ、又は、第1ダイオードが他方の電流路に電荷検出用電界効果トランジスタと対称位置に挿入され、PMOSFETによる第1カレント・ミラー回路とNMOSFETによる第2カレント・ミラー回路との直列接続と、その直列接続のカレント・ミラー回路に対して一定の電流を供給する電流源とから構成されている。第1カレント・ミラー回路は、PMOSFETによるカスコード接続回路から成り、第2カレント・ミラー回路は、NMOSFETによるカスコード接続回路から構成されている。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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