適用製品
シリコン含有基材、シリコンゲルマニウム膜
目的
シリコン含有基材上に形成されて、例えば半導体デバイスとしての電界効果トランジスタにおいて、チャネル層や歪み緩和バッファ層として好適に利用することのできる、歪み緩和ゲルマニウム膜及びその製造方法並びに多層膜構造体の提供。
効果
本技術によれば、半導体デバイスとしての電界効果トランジスタにおいて、チャネル層や歪み緩和バッファ層として好適に利用できる歪み緩和ゲルマニウム膜及びその製造方法並びに多層膜構造体を提供することができる。
技術概要
この技術では、Ｓｉ（シリコン）基板上に、Ｇｅ（ゲルマニウム）結晶粒よりなる複数のハットクラスタにより構成されるとともに各ハットクラスタ同士の衝突部分に刃状転位の発生源となりうる欠陥核を有するＧｅ転位制御層を、エピタキシャル成長により形成した後、ハットクラスタが破壊されることのない低温域で、アモルファスゲルマニウム膜をエピタキシャル成長により形成し、アモルファスゲルマニウム膜を結晶化した後、さらに熱処理して欠陥核を発生源とする刃状転位を導入して、刃状転位によって歪み緩和された歪み緩和Ｇｅ膜をＳｉ基板上に形成する。この歪み緩和ゲルマニウム膜は、シリコン基板との界面の１μｍ四方の範囲において、６０°転位の転位線の総計長さが１０μｍ以下とされている。これにより、不規則的な６０°転位を減少させてモザイシティを小さくすることができる。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
